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钴铝靶材是一种用于制备薄膜材料的关键原材料。它具有优异的机械性能、化学稳定性和热稳定性，因此被广泛应用于半导体、光电和医学等领域。
制备方法
钴铝靶材的制备方法主要有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种。在PVD过程中，将高纯度的钴铝靶材置于真空腔室内，通过电弧、磁控溅射或激光蒸发等方式使其蒸发，在基板表面形成薄膜。在CVD过程中，则是通过将钴铝的前驱物（比如氢氧化铝和碳酸钴）以气态形式输入反应腔室，在高温高压的条件下发生化学反应，沉积形成钴铝薄膜。
钴铝靶材的优点在于其化学稳定性较高，可以有效防止因化学反应导致的杂质或气体污染。同时，在高温下也不易发生氧化或失稳反应，具有较好的热稳定性。
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